INFLUENCE OF DEPOSITION CONDITIONS ON THE PROPERTIES OF SILICON-NITRIDE FILMS PREPARED BY THE ECR PLASMA CVD METHOD

被引：27

作者：

HIRAO, T ^{[1
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SETSUNE, K ^{[1
]}

KITAGAWA, M ^{[1
]}

KAMADA, T ^{[1
]}

WASA, K ^{[1
]}

IZUMI, T ^{[1
]}

机构：

[1] TOKAI UNIV,FAC ENGN,DEPT ELECTR,HIRATSUKA,KANAGAWA 25912,JAPAN

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS | 1987年 / 26卷 / 12期

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.26.2015

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：2015 / 2021

页数：7

共 4 条

HIRAO, T ;

SETSUNE, K ;

KITAGAWA, M ;

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