AVALANCHE RESPONSE-TIME IN GAAS AS DETERMINED FROM MICROWAVE ADMITTANCE MEASUREMENTS

被引：8

作者：

ADLERSTEIN, MG ^{[1
]}

MCCLYMONDS, JW ^{[1
]}

STATZ, H ^{[1
]}

机构：

[1] RAYTHEON CO,DIV RES,ELECTRO OPT LAB,WALTHAM,MA 02154

来源：

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | 1981年 / 28卷 / 07期

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1981.20435

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

收藏

页码：808 / 811

页数：4

相关论文

共 12 条

[11] NOISE IN GALLIUM-ARSENIDE AVALANCHE READ DIODES [J].

STATZ, H ;

PUCEL, RA ;

SIMPSON, JE ;

HAUS, HA .

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 1976, 23 (09) :1075-1085

[12] INTRINSIC RESPONSE-TIME AND RELATED QUANTITIES DESCRIBING SEMICONDUCTOR AVALANCHES [J].

VANIPEREN, BB ;

GOEDBLOED, JJ .

ELECTRONICS LETTERS, 1977, 13 (15) :448-449