OXYGEN PRECIPITATION IN CZOCHRALSKI SILICON

被引：0

作者：

CRAVEN, RA ^{[1
]}

机构：

[1] MONSANTO CO,ST LOUIS,MO 63166

来源：

JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY | 1981年 / 128卷 / 03期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

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页码：C93 / C93

页数：1

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