TEMPERATURE DEPENDENCE OF FLICKER NOISE OF P-N-P JUNCTION TRANSISTORS

被引：5

作者：

AMAKASU, K

ASANO, M

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.1722239

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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共 3 条

[1]

ANGELLO SJ, 1949, ELECTRON ENG, V68, P865

[2] ELECTRICAL NOISE IN SEMICONDUCTORS [J].

MONTGOMERY, HC .

BELL SYSTEM TECHNICAL JOURNAL, 1952, 31 (05) :950-975

[3] CONDUCTIVITY AND HALL EFFECT IN THE INTRINSIC RANGE OF GERMANIUM [J].

MORIN, FJ ;

MAITA, JP .

PHYSICAL REVIEW, 1954, 94 (06) :1525-1529