ANOMALOUS LOW-FREQUENCY NOISE IN MOS-TRANSISTORS AT LOW-TEMPERATURES

被引：0

作者：

NAKAHARA, M ^{[1
]}

机构：

[1] FUJITSU LTD,KOBE,KOBE 652,JAPAN

来源：

ELECTRONICS & COMMUNICATIONS IN JAPAN | 1972年 / 55卷 / 06期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：99 / 105

页数：7

共 15 条

[1]

ADACHI Y, 1968, SEISAN KENKYU, V20, P515

[2] LOW FREQUENCY NOISE IN MOS TRANSISTORS .2. EXPERIMENTS [J].

CHRISTEN.S ;

LUNDSTRO.I .

[3] LOW FREQUENCY NOISE IN MOS FIELD EFFECT TRANSISTORS [J].

FLINN, I ;

BEW, G ;

BERZ, F .

[4]

MCINTYRE RJ, 1966, IEEE T ELECTRON DEVI, VED13, P164

[5]

MO DL, 1970, PR INST ELECTR ELECT, V58, P1166, DOI 10.1109/PROC.1970.7884

[6]

NAKAHARA, 1968, IECE GROUP SOLID STA, VSS68

[7]

NAKAHARA, 1970, P IEEE, V58, P1158

[8]

NAKAHARA, 1969, ECJ, P173

[9]

NAKAHARA, 1969, T IECE JAPAN C, V52, P175

NAKAHARA, M ;

IWASAWA, H ;

YASUTAKE, K .