EXPLORATION OF ELECTRON-BEAM WRITING STRATEGIES AND RESIST DEVELOPMENT EFFECTS

被引：0

作者：

ROSENFIELD, MG ^{[1
]}

NEUREUTHER, AR ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV CALIF BERKELEY,DEPT ELECT ENGN & COMP SCI,ELECTR RES LAB,BERKELEY,CA 94720

来源：

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

页码：C107 / C107

页数：1