APPARENT NARROWING OF THE BANDGAP IN THE BASE REGION OF BIPOLAR-TRANSISTORS

被引：3
作者：
POPOVIC, RS
机构：
来源：
SOLID-STATE ELECTRONICS | 1979年 / 22卷 / 03期
关键词：
D O I：
10.1016/0038-1101(79)90046-7
中图分类号：
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ; 0809 ;
摘要：
[No abstract available]
引用
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页码：348 / 349
页数：2
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共 6 条
[1]   BANDGAP NARROWING IN SILICON BIPOLAR-TRANSISTORS [J].
SLOTBOOM, JW .
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 1977, 24 (08) :1123-1125
[2]   MEASUREMENTS OF BANDGAP NARROWING IN SI BIPOLAR-TRANSISTORS [J].
SLOTBOOM, JW ;
DEGRAAFF, HC .
SOLID-STATE ELECTRONICS, 1976, 19 (10) :857-862
[3]  
SLOTBOOM JW, 1975, EUROPEAN SOLID STATE
[4]  
SLOTBOOM JW, 1975, INT ELECTRON DEVICES
[5]   TRANSPORT EQUATIONS IN HEAVY DOPED SILICON [J].
VANOVERSTRAETEN, RJ ;
DEMAN, HJ ;
MERTENS, RP .
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 1973, ED20 (03) :290-298
[6]  
VOLFSON AA, 1967, SOV PHYS SEMICOND+, V1, P327
1