CALCULATION OF CURRENT-VOLTAGE CHARACTERISTICS OF OPEN BASE TRANSISTORS

被引：0

作者：

MATSON, EA

机构：

来源：

RADIOTEKHNIKA I ELEKTRONIKA | 1987年 / 32卷 / 03期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

收藏

页码：663 / 665

页数：3

相关论文

共 5 条

[1] BEHAVIOUR OF JUNCTION TRANSISTORS AT LOW VOLTAGES [J].

ACHUTHAN, MK .

INTERNATIONAL JOURNAL OF ELECTRONICS, 1969, 27 (03) :293-&

[2]

FEDOTOV YA, 1969, OSNOVY FIZIKI POLUPR

[3]

FEDOTOV YA, 1973, KREMNIEVYE PLANARNYE

[4]

MATSON EA, 1978, IZV AN BSSR FTN, P110

[5]

Yang E. S., 1978, FUNDAMENTALS SEMICON