RELATIONSHIP BETWEEN HOLE TRAPPING AND INTERFACE STATE GENERATION IN METAL-OXIDE-SILICON STRUCTURES

被引：81
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作者：
WANG, SJ
SUNG, JM
LYON, SA
机构：
来源：
APPLIED PHYSICS LETTERS | 1988年 / 52卷 / 17期
关键词：
D O I：
10.1063/1.99690
中图分类号：
O59 [应用物理学];
学科分类号：
摘要：
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页码：1431 / 1433
页数：3
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