X-RAY TOPOGRAPHIC OBSERVATION OF POLYTYPE DISTRIBUTIONS IN SILICON CARBIDE

被引：3
作者：
TAKEI, WJ
FRANCOMBE, MH
机构：
来源：
BRITISH JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1967年 / 18卷 / 11期
关键词：
D O I：
10.1088/0508-3443/18/11/312
中图分类号：
O59 [应用物理学];
学科分类号：
摘要：
引用
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共 4 条
[1]   STUDIES OF INDIVIDUAL DISLOCATIONS IN CRYSTALS BY X-RAY DIFFRACTION MICRORADIOGRAPHY [J].
LANG, AR .
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1959, 30 (11) :1748-1755
[2]   A METHOD FOR THE EXAMINATION OF CRYSTAL SECTIONS USING PENETRATING CHARACTERISTIC X-RADIATION [J].
LANG, AR .
ACTA METALLURGICA, 1957, 5 (07) :358-364
[3]  
TAYLOR A, 1959, P C SILICON CARBIDE, P147
[4]  
Verma A.R., 1966, POLYMORPHISM POLYTYP
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