C-INDUCED DEEP LEVELS IN CRYSTALLINE SI

被引：10

作者：

ENDROS, A ^{[1
]}

KRUHLER, W ^{[1
]}

KOCH, F ^{[1
]}

机构：

[1] TECH UNIV MUNICH,DEPT PHYS E16,D-8000 MUNICH 2,FED REP GER

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.338328

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：5051 / 5054

页数：4

共 7 条

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