COMPARISON OF COMPOSITIONALLY ABRUPT AND GRADED EMITTER-BASE JUNCTIONS IN THE HETEROJUNCTION BIPOLAR-TRANSISTOR

被引：0

作者：

ENQUIST, PM ^{[1
]}

RAMBERG, LP ^{[1
]}

EASTMAN, LF ^{[1
]}

机构：

[1] CORNELL UNIV,SCH ELECT ENGN,ITHACA,NY 14853

来源：

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | 1986年 / 33卷 / 11期

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1986.22774

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：1844 / 1844

页数：1

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共 1 条

[1] HETEROSTRUCTURE BIPOLAR-TRANSISTORS AND INTEGRATED-CIRCUITS [J].

KROEMER, H .

PROCEEDINGS OF THE IEEE, 1982, 70 (01) :13-25