LUMINESCENCE BAND AT HVM ALMOST-EQUAL-TO 1.2 EV INDUCED BY IRRADIATION AND HEAT-TREATMENT OF PARA-TYPE GAAS

被引：0
作者：
GLINCHUK, KD
GUROSHEV, VI
PROKHOROVICH, AV
机构：
来源：
SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR | 1987年 / 21卷 / 09期
关键词：
D O I：
暂无
中图分类号：
O469 [凝聚态物理学];
学科分类号：
070205 ;
摘要：
引用
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页码：1003 / 1005
页数：3
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共 4 条
  • [1] EMTSEV VV, 1981, IMPURITIES POINT DEF
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