PULSED IONIZING-RADIATION RECOVERY CHARACTERISTICS OF MSI GAAS INTEGRATED-CIRCUITS

被引：7

作者：

LONG, SI ^{[1
]}

LEE, FS ^{[1
]}

PELLEGRINI, P ^{[1
]}

机构：

[1] USAF,CTR RES & DEV ESE,HANSCOM AFB,MA 01731

来源：

ELECTRON DEVICE LETTERS | 1981年 / 2卷 / 07期

关键词：

D O I：

10.1109/EDL.1981.25388

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：173 / 176

页数：4

共 6 条

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