NEGATIVE CAPACITANCE OF SILICON DIODE WITH DEEP LEVEL TRAPS

被引:28
作者
NOGUCHI, T
KITAGAWA, M
TANIGUCHI, I
机构
关键词
D O I
10.1143/JJAP.19.1423
中图分类号
O59 [应用物理学];
学科分类号
摘要
引用
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页码:1423 / 1424
页数:2
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共 3 条
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