NEGATIVE CAPACITANCE OF SILICON DIODE WITH DEEP LEVEL TRAPS

被引：28

作者：

NOGUCHI, T

KITAGAWA, M

TANIGUCHI, I

机构：

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1980年 / 19卷 / 07期

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.19.1423

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：1423 / 1424

页数：2

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共 3 条

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