MECHANISM OF THE FORMATION OF DONOR STATES IN HEAT-TREATED SILICON

被引：474
作者：
KAISER, W
FRISCH, HL
REISS, H
机构：
来源：
PHYSICAL REVIEW | 1958年 / 112卷 / 05期
关键词：
D O I：
10.1103/PhysRev.112.1546
中图分类号：
O4 [物理学];
学科分类号：
0702 ;
摘要：
引用
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页码：1546 / 1554
页数：9
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