8K B RANDOM-ACCESS MEMORY CHIP USING ONE-DEVICE FET CELL

被引：20

作者：

HOFFMAN, WK ^{[1
]}

KALTER, HL ^{[1
]}

机构：

[1] IBM CORP,SYST PROD DIV,ESSEX JUNCTION,VT 05452

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/JSSC.1973.1050407

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页数：8