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ZUR RONTGENOGRAPHISCHEN BESTIMMUNG DES TYPS EINZELNER VERSETZUNGEN IN EINKRISTALLEN
[J].
ZEITSCHRIFT FUR PHYSIK,
1958, 153 (03)
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[2]
X-RAY-MEASUREMENT OF MINUTE LATTICE STRAIN IN PERFECT SILICON-CRYSTALS
[J].
ZEITSCHRIFT FUR KRISTALLOGRAPHIE,
1981, 156 (3-4)
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[3]
RONTGENOGRAPHISCHE ABBILDUNG DES VERZERRUNGSFELDES EINZELNER VERSETZUNGEN IN GERMANIUM-EINKRISTALLEN
[J].
ZEITSCHRIFT FUR NATURFORSCHUNG PART A-ASTROPHYSIK PHYSIK UND PHYSIKALISCHE CHEMIE,
1958, 13 (04)
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[4]
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[5]
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[6]
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[7]
EHSES KH, 1980, ANN C CONDENSED MATT
[8]
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[9]
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[10]
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