RADIATIVE RECOMBINATION IN SILICON-DOPED P-TYPE GAAS

被引：0

作者：

SUSHKOV, VP

LYUBYANI.EB

机构：

来源：

SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR | 1972年 / 5卷 / 12期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

O469 [凝聚态物理学];

学科分类号：

070205 ;

摘要：

引用

页码：1974 / &

共 15 条

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