INFLUENCE OF HYDROGEN PARTIAL-PRESSURE ON DEPOSITION AND PROPERTIES OF SPUTTERED AMORPHOUS GALLIUM-ARSENIDE

被引：14

作者：

ALIMOUSSA, L ^{[1
]}

CARCHANO, H ^{[1
]}

THOMAS, JP ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV LYON I,INST PHYS NUCL,F-69622 VILLEURBANNE,FRANCE

来源：

JOURNAL DE PHYSIQUE | 1981年 / 42卷 / NC4期

关键词：

D O I：

10.1051/jphyscol:19814151

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

页码：683 / 686

页数：4

共 12 条

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