SILICON CRYSTALS FREE OF DISLOCATIONS

被引：113

作者：

DASH, WC

机构：

来源：

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1958年 / 29卷 / 04期

关键词：

D O I：

10.1063/1.1723264

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：736 / 737

页数：2

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