INJECTION LUMINESCENCE IN SI DOPED EPITAXIAL GAAS PARA-NORMAL JUNCTIONS

被引:0
|
作者
CONSTANTINESCU, C [1 ]
CONSTANTINESCU, L [1 ]
IVAN, E [1 ]
机构
[1] INST PHYS & TECHNOL MAT,BUCHAREST,ROMANIA
来源
REVUE ROUMAINE DE PHYSIQUE | 1981年 / 26卷 / 8-9期
关键词
D O I
暂无
中图分类号
O4 [物理学];
学科分类号
0702 ;
摘要
引用
收藏
页码:1007 / 1012
页数:6
相关论文
共 50 条