PBTIO3 THIN-FILM GATE NON-VOLATILE MEMORY FET

被引：0

作者：

MATSUI, Y ^{[1
]}

NAKANO, H ^{[1
]}

OKUYAMA, M ^{[1
]}

NAKAGAWA, T ^{[1
]}

HAMAKAWA, Y ^{[1
]}

机构：

[1] SETSUNAN UNIV,FAC ENGN,NEYAGAWA,OSAKA 572,JAPAN

来源：

FERROELECTRICS | 1980年 / 29卷 / 1-2期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

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页码：126 / 127

页数：2

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