ANNEALING AND ION-IMPLANTATION EFFECTS ON SEMIINSULATING GAAS OBTAINED FROM PHOTOINDUCED MICROWAVE REFLECTION

被引：0

作者：

GUTMANN, RJ

CAMPBELL, C

BORREGO, JM

BLISS, D

机构：

[1] RENSSELAER POLYTECH INST,DEPT ELECT COMP & SYST ENGN,TROY,NY 12181

[2] RENSSELAER POLYTECH INST,CTR INTEGRATED ELECTR,TROY,NY 12181

[3] ADV SEMICOND OPERAT,LOWELL,MA 01851

来源：

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

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