OXYGEN-PRESSURE AS A PARAMETER IN THE DC PLASMA ANODIZATION OF SILICON

被引：17

作者：

BECK, RB

PATYRA, M

RUZYLLO, J

JAKUBOWSKI, A

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0040-6090(80)90458-7

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

页码：261 / 264

页数：4

共 7 条

[1]

FOPIANO PJ, 1965, IEEE T PARTS MATER P, V1, P217

[2]

LIGENZA JR, 1970, SOLID STATE TECHNOL, V13, P33

[3]

MICHELETTI FB, 1971, SOLID STATE TECHNOL, V14, P27

MILES, JL ;

SMITH, PH .

[5]

MILES JL, 1968, Patent No. 3394066

[6] FACTORS AFFECTING GROWTH RATE OF PLASMA ANODIZED AL203 [J].

OHANLON, JF .

[7] PLASMA ANODIZED ALUMINUM OXIDE FILMS [J].

TIBOL, GJ ;

HULL, RW .