CHARACTERISTIC FEATURES OF N-TYPE NEGATIVE RESISTANCE AND OF NEGATIVE PHOTOCONDUCTIVITY OF GOLD-DOPED N-TYPE SI SAMPLES

被引：0
作者：
BYKOVSKII, YA
VINOGRAD.KN
ZUEV, VV
机构：
来源：
SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR | 1970年 / 3卷 / 07期
关键词：
D O I：
暂无
中图分类号：
O469 [凝聚态物理学];
学科分类号：
070205 ;
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共 6 条
  • [1] BYKOVSKII YA, 1969, PHYSICS P N JUNCTION
  • [2] BYKOVSKII YA, IN PRESS
  • [3] Bykovskii Yu. A., 1969, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, V3, P1104
  • [4] Bykovskii Yu. A., 1969, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, V3, P1102
  • [5] SONDAEVSKII VP, 1966, PHYSICS P N JUNCTION
  • [6] CURRENT OSCILLATIONS IN CO-DOPED SI P-I-N STRUCTURES
    STREETMAN, BG
    BLOUKE, MM
    HOLONYAK, N
    [J]. APPLIED PHYSICS LETTERS, 1967, 11 (06) : 200 - +
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