EFFECT OF NICKEL ON CLEAN SILICON SURFACES - TRANSPORT AND STRUCTURE

被引：57

作者：

DOLBAK, AE ^{[1
]}

OLSHANETSKY, BZ ^{[1
]}

STENIN, SI ^{[1
]}

TEYS, SA ^{[1
]}

GAVRILOVA, TA ^{[1
]}

机构：

[1] NOVOSIBIRSK STATE UNIV,NOVOSIBIRSK 630090,USSR

来源：

SURFACE SCIENCE | 1989年 / 218卷 / 01期

关键词：

D O I：

10.1016/0039-6028(89)90619-5

中图分类号：

O64 [物理化学（理论化学）、化学物理学];

学科分类号：

070304 ; 081704 ;

摘要：

引用

页码：37 / 54

页数：18

共 34 条

[1] THE SOLID SOLUBILITY OF NICKEL IN SILICON DETERMINED BY NEUTRON ACTIVATION ANALYSIS [J].

AALBERTS, JH ;

VERHEIJKE, ML .

APPLIED PHYSICS LETTERS, 1962, 1 (01) :19-20

[2]

Bakhadyrkhanov M. K., 1980, SOV PHYS SEMICOND, V14, P243

[3]

BOLTAKS BI, 1963, DIFFUZIYA POLUPROVOD

[4] DIFFUSION OF NICKEL IN SILICON [J].

BONZEL, HP .

PHYSICA STATUS SOLIDI, 1967, 20 (02) :493-&

[5]

BUTS R, 1979, SURF SCI, V87, P85

[6]

BUTS R, 1979, SURF SCI, V87, P69

[7] DIFFUSION LAYERS AND THE SCHOTTKY-BARRIER HEIGHT IN NICKEL SILICIDE-SILICON INTERFACES [J].

CHANG, YJ ;

ERSKINE, JL .

PHYSICAL REVIEW B, 1983, 28 (10) :5766-5773

[8] DIFFUSION-LAYER MICROSTRUCTURE OF NI ON SI(100) [J].

CHANG, YJ ;

ERSKINE, JL .

PHYSICAL REVIEW B, 1982, 26 (08) :4766-4769

[9]

CHEUNG NW, 1981, PHYS REV LETT, V46, P1033

[10]

Crank J, 1956, MATH DIFFUSION

← 1 2 3 4 →