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ELECTRON-MOBILITY IN SOS FILMS
被引:21
作者
:
HSU, ST
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0
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0
HSU, ST
机构
:
来源
:
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
|
1978年
/ 25卷
/ 08期
关键词
:
D O I
:
10.1109/T-ED.1978.19201
中图分类号
:
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
:
0808 ;
0809 ;
摘要
:
引用
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页码:913 / 916
页数:4
相关论文
共 5 条
[1]
Blatt F. J., 1968, PHYS ELECT CONDUCTIO, P180
[2]
HSU ST, 1975, RCA REV, V36, P240
[3]
HSU ST, 1977, RCA REV, V38, P139
[4]
VARIATIONS IN ELECTRICAL PROPERTIES OF SILICON FILMS ON SAPPHIRE USING MOS HALL TECHNIQUE
IPRI, AC
论文数:
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引用数:
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IPRI, AC
[J].
APPLIED PHYSICS LETTERS,
1972,
20
(01)
: 1
-
&
[5]
MANY A, 1965, SEMICONDUCTOR SURFAC, P66
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1
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共 5 条
[1]
Blatt F. J., 1968, PHYS ELECT CONDUCTIO, P180
[2]
HSU ST, 1975, RCA REV, V36, P240
[3]
HSU ST, 1977, RCA REV, V38, P139
[4]
VARIATIONS IN ELECTRICAL PROPERTIES OF SILICON FILMS ON SAPPHIRE USING MOS HALL TECHNIQUE
IPRI, AC
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IPRI, AC
[J].
APPLIED PHYSICS LETTERS,
1972,
20
(01)
: 1
-
&
[5]
MANY A, 1965, SEMICONDUCTOR SURFAC, P66
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