ELECTRICAL PROPERTIES OF SILICON LAYERS IMPLANTED WITH BF2 MOLECULES

被引：0

作者：

MULLER, H

RYSSEL, H

SCHMID, K

机构：

来源：

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：2006 / &

共 11 条

BARON, R ;

SHIFRIN, GA ;

MARSH, OJ ;

MAYER, JW .

[2]

BAUER LO, 1971, 2 INT C ION IMPL GAR

[3]

BLAMIRES NG, 1968, PHYS LETT A, VA 28, P178, DOI 10.1016/0375-9601(68)90186-2

[4]

BLAMIRES NG, 1970, 1970 EUR C ION IMPL

[5]

CLARK AH, 1968, T METALL SOC AIME, V242, P1173

DAVIES, DE .

HART, RR ;

MARSH, OJ .

[8]

JOHNSON WS, 1969, PROJECTED RANGE STAT

[9]

Mayer J., 1970, ION IMPLANTATION SEM

SANSBURY, JD ;

GIBBONS, JF .