ELECTROCHEMICAL CARRIER CONCENTRATION PROFILING IN SILICON

被引：27

作者：

SHARPE, CD ^{[1
]}

LILLEY, P ^{[1
]}

ELLIOTT, CR ^{[1
]}

AMBRIDGE, T ^{[1
]}

机构：

[1] POST OFF RES CTR,IPSWICH IP5 7RE,ENGLAND

来源：

ELECTRONICS LETTERS | 1979年 / 15卷 / 20期

关键词：

Carrier concentration; Electrochemical profiling; Silicon;

D O I：

10.1049/el:19790444

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

The application to silicon of an electrochemical technique, allowing automatic profiling over large depths and a wide range of carrier concentration, is described. © 1979, The Institution of Electrical Engineers. All rights reserved.

引用

页码：622 / 624

页数：3