GALLIUM NITRIDE FORMED BY VAPOUR DEPOSITION AND BY CONVERSION FROM GALLIUM ARSENIDE

被引：15

作者：

FAULKNER, KR

WICKENDEN, DK

ISHERWOOD, BJ

RICHARDS, BP

SCOBEY, IH

机构：

来源：

JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE | 1970年 / 5卷 / 04期

关键词：

D O I：

10.1007/BF02397782

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

页码：308 / +

页数：1

共 16 条

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