LOW-TEMPERATURE DEPOSITION OF POLYCRYSTALLINE SILICON FILMS ON AMORPHOUS SUBSTRATES BY PARTIALLY IONIZED SILICON BEAMS

被引：0

作者：

YOKOTA, K

MIYAURA, T

TAKESHITA, K

TOKUDA, H

TAMURA, S

机构：

来源：

FIRST INTERNATIONAL MEETING ON ADVANCED PROCESSING AND CHARACTERIZATION TECHNOLOGIES: FABRICATION AND CHARACTERIZATION OF SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONIC DEVICES AND INTEGRATED CIRCUITS, VOLS 1 AND 2 | 1989年

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：A115 / A118

页数：4