GUNN INSTABILITY IN 2-DIMENSIONAL SEMICONDUCTORS

被引：6

作者：

KUROSAWA, T

NAGAHASHI, S

机构：

来源：

JOURNAL OF THE PHYSICAL SOCIETY OF JAPAN | 1978年 / 45卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1143/JPSJ.45.707

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

引用

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页码：707 / 708

页数：2

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