ETCHING OF SILICON NITRIDE IN PHOSPHORIC ACID WITH SILICON DIOXIDE AS A MASK

被引：108

作者：

VANGELDER, W

HAUSER, VE

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1149/1.2426757

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

页码：869 / +

页数：1

相关论文

共 7 条

[1] VAPOR PRESSURE OF PHOSPHORIC ACIDS [J].

BROWN, EH ;

WHITT, CD .

INDUSTRIAL AND ENGINEERING CHEMISTRY, 1952, 44 (03) :615-618

[2]

DALTON JV, 1966, MAT CLEV M SOC

[3]

ERDMAN WC, 1966, OCT PHIL M SOC

[4]

FINNE RM, 1964, MAY TOR M SOC

[5] OBSERVATION OF ETCHING OF N-TYPE SILICON IN AQUEOUS HF SOLUTIONS [J].

HU, SM ;

KERR, DR .

[6]

KIRKOTHMER, ENCYCLOPEDIAN CHEMIC

[7]

REIZMAN F, TO BE PUBLISHED