A HIGH-SPEED, LOW-POWER BURIED-OXIDE SOI CMOS TECHNOLOGY

被引：0

作者：

COLINGE, JP

KAMINS, TI

CHIANG, SY

LIU, D

PENG, S

RISSMAN, P

HASHIMOTO, K

机构：

[1] HEWLETT PACKARD CO,LABS,PALO ALTO,CA 94304

[2] TOSHIBA CORP,CTR RES & DEV,KAWASAKI 210,JAPAN

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1986.22768

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页数：1