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RESONANT-TUNNELING HOT-ELECTRON TRANSISTORS (RHETS) USING AN INGAAS/IN(ALGA)AS HETEROSTRUCTURE
被引：0
作者：
IMAMURA, K
MUTO, S
YOKOYAMA, N
机构：
来源：
FUJITSU SCIENTIFIC & TECHNICAL JOURNAL
|
1988年
/
24卷
/
01期
关键词：
D O I：
暂无
中图分类号：
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ;
0809 ;
摘要：
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页数：6
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