A TECHNIQUE FOR THE OBSERVATION OF INTERFACE TRAP DENSITIES IN MOSFET DEVICES

被引：0

作者：

HEASELL, EL

机构：

来源：

SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY | 1988年 / 3卷 / 01期

关键词：

D O I：

10.1088/0268-1242/3/1/006

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

收藏

页码：35 / 39

页数：5

相关论文

empty

未找到相关数据