INFLUENCE OF AN INVERSION LAYER ON THE TUNNEL FIELD GENERATION OF CARRIERS IN METAL-INSULATOR SEMICONDUCTOR STRUCTURES

被引：0

作者：

LITOVSKII, RN

机构：

来源：

SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR | 1988年 / 22卷 / 04期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

O469 [凝聚态物理学];

学科分类号：

070205 ;

摘要：

引用

页码：445 / 449

页数：5

共 8 条

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