INFLUENCE OF AN INVERSION LAYER ON THE TUNNEL FIELD GENERATION OF CARRIERS IN METAL-INSULATOR SEMICONDUCTOR STRUCTURES

被引：0
作者：
LITOVSKII, RN
机构：
来源：
SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR | 1988年 / 22卷 / 04期
关键词：
D O I：
暂无
中图分类号：
O469 [凝聚态物理学];
学科分类号：
070205 ;
摘要：
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页码：445 / 449
页数：5
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共 8 条
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