NONSELECTIVE ETCHING OF GAAS/ALGAAS DOUBLE HETEROSTRUCTURE LASER FACETS BY CL2 REACTIVE-ION-ETCHING IN A LOAD-LOCKED SYSTEM

被引：0

作者：

VAWTER, GA ^{[1
]}

COLDREN, LA ^{[1
]}

MERZ, JL ^{[1
]}

HU, EL ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV CALIF SANTA BARBARA,DEPT ELECT & COMP ENGN,SANTA BARBARA,CA 93106

来源：

JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS | 1987年 / 16卷 / 04期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

收藏

页码：A29 / A29

页数：1

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