MONOLITHIC INTEGRATION OF A GAALAS INJECTION-LASER WITH A SCHOTTKY-GATE FIELD-EFFECT TRANSISTOR

被引：36
作者：
FUKUZAWA, T
NAKAMURA, M
HIRAO, M
KURODA, T
UMEDA, J
机构：
来源：
APPLIED PHYSICS LETTERS | 1980年 / 36卷 / 03期
关键词：
D O I：
10.1063/1.91438
中图分类号：
O59 [应用物理学];
学科分类号：
摘要：
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页码：181 / 183
页数：3
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共 3 条
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