GROWTH AND CHARACTERIZATION OF LEAD TELLURIDE EPITAXIAL LAYERS

被引：12

作者：

WAGNER, JW

THOMPSON, AG

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1149/1.2407687

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

页码：936 / &

共 10 条

[1] COMPOSITION LIMITS OF STABILITY OF PBTE [J].

BREBRICK, RF ;

ALLGAIER, RS .

[2]

BREBRICK RF, 1966, PROGR SOLID STATE CH, V3, P217

[3] DIFFUSED JUNCTION DIODES OF PBSE AND PBTE [J].

BUTLER, JF .

[4]

GRIMES DE, 1965, T METALL SOC AIME, V233, P1442

[5]

HANSEN M, 1958, CONSTITUTION BINARY, P1111

[6]

NELSON H, 1963, RCA REV, V24, P603

[7]

NORR MK, 1967, NOLTR63156 US NAV OR

[8]

WAGNER JW, 1968, T METALL SOC AIME, V242, P366

[9]

WAGNER JW, 1969, T METALL SOC AIME, V245, P461

[10]

ZOUTENDYK PJ, 1968, THESIS CALIF I TECH