INVESTIGATION OF KINETICS OF NEGATIVE ANNEALING OF SILICON FILMS DOPED WITH BORON IONS

被引：0

作者：

YUDIN, VV

KARATSYUBA, AP

机构：

来源：

SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR | 1973年 / 7卷 / 04期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

O469 [凝聚态物理学];

学科分类号：

070205 ;

摘要：

引用

页码：508 / 509

页数：2

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[1]

[Anonymous], 1959, SEMICONDUCTORS

[2]

Boltaks B.I., 1963, DIFFUSION SEMICONDUC

[3]

Gibbons J. F., 1970, Radiation Effects, V6, P313, DOI 10.1080/00337577008236311

[4]

KARATSYUBA AP, 1971, ALL UNION C ION IMPL, P35

[5]

KARATSYUBA AP, 1972, P INT C DEFECTS SEMI

[6]

YUDIN VV, 1973, FIZ TEKH POLUPROV, V7, P735

[7] THEORY OF GROWTH OF SPHERICAL PRECIPITATES FROM SOLID SOLUTION [J].

ZENER, C .