IMPURITY BAND CONDUCTION IN GERMANIUM AND SILICON

被引：0

作者：

CONWELL, EM

机构：

来源：

PHYSICAL REVIEW | 1955年 / 98卷 / 04期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

引用

页码：1178 / 1178

页数：1

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共 2 条

[1] THE RESISTIVITY AND HALL EFFECT OF GERMANIUM AT LOW TEMPERATURES [J].

HUNG, CS ;

GLIESSMAN, JR .

PHYSICAL REVIEW, 1950, 79 (04) :726-727

[2] THEORY OF RESISTIVITY AND HALL EFFECT AT VERY LOW TEMPERATURES [J].

HUNG, CS .

PHYSICAL REVIEW, 1950, 79 (04) :727-728