ACTIVE DISLOCATION GLIDE SYSTEMS IN HETEROEPITAXY OF III-V SEMICONDUCTORS

被引：0

作者：

AHEARN, JS ^{[1
]}

UPPAL, P ^{[1
]}

机构：

[1] MARTIN MARIETTA CORP LABS,GAMMA MONOLITH,BALTIMORE,MD 21227

来源：

JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS | 1987年 / 16卷 / 04期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：A27 / A27

页数：1

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