INTERFACIAL CHARGE MODIFICATION BETWEEN SIO2 AND SILICON

被引：3

作者：

ARONOWITZ, S ^{[1
]}

ZAPPE, HP ^{[1
]}

HU, C ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV CALIF BERKELEY,DEPT ELECT ENGN,BERKELEY,CA 94720

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.101400

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：1317 / 1319

页数：3

共 6 条

[1] MODIFICATION OF INTERFACIAL CHARGE BETWEEN SIO2 AND SILICON [J].

ARONOWITZ, S ;

ANAND, K ;

RIGA, G .

[2] QUANTUM-CHEMICAL MODELING OF SMECTITE CLAYS [J].

ARONOWITZ, S ;

COYNE, L ;

LAWLESS, J ;

RISHPON, J .

BOYD, IW .

[4] SURFACE ELECTRONIC-STRUCTURE OF SILICON DIOXIDE [J].

CIRACI, S ;

ELLIALTIOGLU, S .

PHYSICAL REVIEW B, 1982, 25 (06) :4019-4030

[5] MODEL OF SI-SIO2 INTERFACES BASED ON ARXPS MEASUREMENTS [J].

HALBRITTER, J .

[6]

Miura T., 1988, 1988 Symposium on VLSI Technology. Digest of Technical Papers, P19