THE CHARACTERISTICS OF CMOS DEVICES IN OXYGEN IMPLANTED SILICON-ON-INSULATOR - THE INFLUENCE OF THE MICROSTRUCTURE AT SILICON BURIED OXIDE INTERFACE

被引：0

作者：

MAO, BY ^{[1
]}

CHEN, CE ^{[1
]}

SUNDARESAN, R ^{[1
]}

POLLACK, G ^{[1
]}

机构：

[1] TEXAS INSTRUMENTS INC,CTR SEMICOND PROC & DESIGN,DALLAS,TX 75265

来源：

JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS | 1987年 / 16卷 / 04期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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