INELASTIC ELECTRON-TUNNELING AND SURFACE ENHANCED RAMAN-SCATTERING FROM TUNNELING JUNCTIONS

被引：0

作者：

KIRTLEY, JR ^{[1
]}

TSANG, JC ^{[1
]}

THEIS, TN ^{[1
]}

JHA, SS ^{[1
]}

机构：

[1] IBM CORP,THOMAS J WATSON RES CTR,YORKTOWN HTS,NY 10598

来源：

JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY | 1980年 / 127卷 / 08期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

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页码：C376 / C376

页数：1

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