THE INFLUENCE OF POINT-DEFECTS ON THE LOW-TEMPERATURE ELECTRON-MOBILITY IN CDXHG1-XSE(X-LESS-THAN-OR-EQUAL-TO-0.2) SMALL-GAP SEMICONDUCTING ALLOYS .2.

被引：0

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作者：

IWANOWSKI, RJ

机构：

来源：

ACTA PHYSICA POLONICA A | 1981年 / 59卷 / 03期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

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页数：9

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共 3 条

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