NUMERICAL-ANALYSIS OF GROUP-V ELEMENT TRANSPORT AND INCORPORATION AT A GROWING SURFACE IN MOCVD REACTOR

被引：12
|
作者：
SATO, M
SUZUKI, M
机构：
来源：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS | 1987年 / 26卷 / 03期
关键词：
D O I：
10.1143/JJAP.26.428
中图分类号：
O59 [应用物理学];
学科分类号：
摘要：
引用
收藏
页码：428 / 433
页数：6
相关论文
共 6 条
1