ELECTRICAL PROPERTIES OF ANODICALLY GROWN SILICON DIOXIDE FILMS

被引：23

作者：

BEYNON, JDE ^{[1
]}

BLOODWORTH, GG ^{[1
]}

MCLEOD, IM ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV SOUTHAMPTON, DEPT ELECTR, SOUTHAMPTON 9, HAMPSHIRE, ENGLAND

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1101(73)90003-8

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：309 / 314

页数：6

共 4 条

DUFFEK, EF ;

MYLROIE, C ;

BENJAMINI, EA .

REVESZ, AG .

[3] ANODIC FORMATION OF OXIDE FILMS ON SILICON [J].

SCHMIDT, PF ;

MICHEL, W .

[4]

SCHMIDT PF, 1965, J ELECTROCHEM SOC, V112, P682